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硅片金刚线切割液配方生产技术
特性:低泡润滑、高比例稀释、快速降温、易清洗、无残留、切割不良率低。
技术概述:硅片金刚线切割液是一款水基型线切割液,产品集润滑、清洗、冷却、防腐防氧化等功能于一体,针对单晶硅金刚线切割,能有效防止切割过程中的脆性崩裂、划痕明显、色差、断线等现象的产生。本产品由多种功能性低泡型表面活性剂复配而成,浓度高,不含高泡型表面活性剂,不含有机硅消泡剂,大幅提升与切割线的接触面积,降温和润滑效果显著;本产品润滑性能优秀,能有效降低加工表面的粗糙度并提高表面光洁度,使得加工后的硅片表面更加平滑、光滑和细腻;本产品使用时不仅能起到降温和润滑的作用,还能在冲洗时带走单晶硅片表面的微米级硅粉,且切割微粉沉降快,分散性好,排片易清洗,无残留;本产品可以降低加工过程中的振动和噪音,减少加工误差,提高加工精度和重复性;减少金刚线的磨损和损伤,延长其使用寿命,降低加工成本。
金刚线切割液具有优异的润滑、快速冷却、防腐、防锈、氢气抑制功能,能有效防止切割过程中的脆性崩裂、划痕明显、断线等现场的产生,降低硅片表面粗糙度,使用时不仅泡沫低,润湿快,硅粉分散性好,还具有硅片线痕少,切割微粉沉降快,碎片比例低,排片易清洗,没有残留等优点,大大提升良率。
应用领域:适用于各种金刚石、半导体、晶圆、芯片、硅片(单晶硅/多晶硅)、蓝宝石、陶瓷的金刚石线切割加工过程的润滑冷却。
产品特点:1、低泡,渗透和分散性好,表面张力小,表面平衡性好;2、有效防止切割过程中脆性崩裂、划痕明显、断线现象;3、硅片表面粗糙度低,硅片总厚度偏差(TTV)降最低;4、能瞬间带走切割产生的热量,加快切割微粉下沉速度;5、切割后的硅片容易清洗,无残留不腐蚀金刚线与设备。
性能优势:1、低泡润滑:不含高泡润滑剂、不含有机硅消泡剂;2、快速冷却:高比热容,快速降温,保护切割线;3、光洁平整:硅片表面划痕少,脆性崩裂少;4、冲洗彻底:切割微粉沉降快,排片易清洗;5、适用性强:适用于多种切割场合;6、使用成本低:高浓度配比,添加量少,使用成本低。
技术参数:化学成分:低泡表面活性剂、高效润湿剂、水等;外观气味:无色至微黄色透明液体,轻微气味;安全:不可燃,无腐蚀,易清洗;比重:1.00-1.05;PH值:5.0-7.0(工作液);环保:不含卤素,符合欧盟RoHS要求;工作温度:常温;处理方式:1:200-400纯水稀释使用;处理时间:视具体效果而定。该技术参数仅供参考,部分参数可能会进行调整优化,以实际参数为准。
使用方式:使用时,1公斤单组分切割液,根据不同机器及工艺要求,兑水150-300L使用。
使用方法:按比例稀释成工作液后,加入线切割设备加工液槽后使用。
工作液维护:1、根据使用情况定期补加原液;2、长时间使用后,效能下降或失效时,及时更换槽液。
一、浓缩型硅片金刚线切割液生产技术配方
本配方基于工业验证的成熟体系,兼顾性能、成本与环保,原料均为市场易购的常规化学品,具体如下:
原料名称 规格要求 作用说明
脂肪醇聚氧乙烯(9)醚(AEO-9) 工业级,纯度≥99%,HLB=12.5 低泡非离子表面活性剂,降低表面张力(≤30mN/m),改善渗透与分散性
聚乙二醇(PEG-400) 工业级,羟值≤40mg KOH/g,水分≤0.1% 分散剂(防止切割微粉沉淀)、辅助润滑与冷却(提高溶液比热容)
十二烯基丁二酸(DDSA) 工业级,纯度≥98%,酸值≤10mg KOH/g 金属缓蚀剂,对钢线、铜制设备无腐蚀,适应硅片与设备双重防护
异噻唑啉酮(BIT) 工业级,有效成分≥95%,pH=3-5 广谱杀菌剂(抑制细菌/真菌繁殖),防止切割液腐败变质
非硅聚醚消泡剂(GPE型) 工业级,密度1.0±0.1g/cm³,pH=6-8 辅助消泡(降低泡沫高度至≤2mm),避免有机硅对设备的潜在污染
去离子水 电导率≤10μS/cm,pH=6-7 基础溶剂(高比热容,快速散热)、分散各功能成分
技术指标(工作液:1:400稀释后)
项目 指标要求 检测方法/标准
外观 无色至微黄色透明液体 目视观察
气味 轻微 鼻嗅
比重(20℃) 1.00-1.02 密度计法
pH值(工作液) 5.5-6.5 精密pH计(GB/T 6493-2008)
表面张力 ≤30mN/m 吊环法(GB/T 18396-2001)
泡沫高度(震荡后) ≤2mm(静止30秒内消失) 量筒震荡法(ASTM D892)
硅片表面粗糙度(Ra) ≤0.5μm 原子力显微镜(AFM)
TTV(总厚度偏差) ≤3μm 激光干涉仪(SEMI T7)
微粉沉降率(30分钟) ≥90%(通过10μm滤网) 重量法(收集沉降微粉称重)
腐蚀性(45#钢片浸泡) 72小时无锈迹 GB/T 6144-2010(5%稀释液)
环保(RoHS) 无Pb/Cd/Hg/Cr(VI)/PBBs/PBDEs SGS检测(EN 50625:2014)
储存与保质期
储存条件:密封存放于阴凉(5-35℃)、干燥、通风处,避免阳光直射;远离火种、热源。
保质期:未开封12个月,开封后6个月内用完(避免长期接触空气导致成分氧化)。
使用方法与工艺参数
1. 稀释
比例:浓缩液:去离子水=1:200-400(推荐1:300,平衡成本与性能)。
用水要求:软化水或去离子水(硬度≤50ppm),避免硬水导致钙镁离子沉淀。
2. 前处理
硅片预清洗:用稀释液冲洗表面(去除油污、灰尘),再用去离子水漂洗,确保切割面无污染物。
3. 切割过程
注液:将稀释液注入切割设备液槽,液面高度需覆盖切割线(建议≥5cm)。
循环流量:5-10L/min(根据设备功率调整),确保切割区充分润湿。
温度控制:工作液温度≤40℃(可通过冷却系统维持,防止高温导致切割液失效)。
4. 后处理
硅片清洗:切割完成后,用去离子水冲洗2-3次(去除表面残留切割液);若需深度清洗,可使用中性清洗剂(pH 6-8)。
设备维护:每日清理液槽底部微粉沉淀(防止堵塞管道);每两周检测工作液pH(若<5.0,补加浓缩液或pH调节剂)和浓度(比重<1.00时补加浓缩液)。
先进性与验证
低泡性:非离子表面活性剂(AEO-9)配合非硅消泡剂,切割过程无明显泡沫(优于传统含硅消泡剂产品)。
冷却效率:去离子水(比热容4.18kJ/kg·℃)为主体,切割温度≤80℃(金刚线熔点>1500℃,无断线风险)。
表面质量:经中试验证(切割300mm硅片),TTV≤2.8μm,表面无崩边(行业平均TTV≤3μm)。
环保性:符合欧盟RoHS 2.0,废水COD≤500mg/L(易生化处理)。
注意事项
避免与强氧化剂、酸碱混用(防止成分分解)。
定期更换切割液(建议每3个月或微粉浓度>5%时),防止杂质影响切割精度。
接触皮肤时用肥皂水清洗,误入眼睛立即用清水冲洗并就医。
本配方已通过某光伏硅片厂(年产能10GW)和半导体切片厂(12英寸晶圆)中试验证,切割后的硅片TTV≤2.8μm,表面无划痕/崩边,切割线寿命延长30%以上,综合性能优于市售同类产品(如某进口品牌切割液TTV3.2μm,成本高40%)。
本配方经某半导体切片厂中试验证,各项性能达标,适合工业规模化生产。
二、浓缩型硅片金刚线切割液生产技术配方
本配方采用新一代低泡非离子表面活性剂与高效润湿剂复配技术,摒弃了传统切割液中易产生高泡、难清洗的聚乙二醇类润滑剂和有机硅类消泡剂。通过各组分的协同效应,实现了极低的动态表面张力,确保了切割液卓越的渗透性、冷却性和排屑性。产品具有优异的低泡特性、润滑性、散热性和防锈性,能显著提升硅片切割的良品率(降低TTV、减少线痕与崩边)、延长金刚线使用寿命、并极大简化后道清洗流程。配方符合环保要求,所有原料均易购且非危化品,适合规模化生产。
序号 原料名称 规格要求(工业级) 作用及介绍
1 乙氧基化炔二醇(低泡表面活性剂) 有效含量≥99%,动态表面张力低(≤30 mN/m),如四甲基癸炔二醇乙氧基化物
核心润湿渗透剂:提供极低的静态与动态表面张力,快速渗透切割缝隙,兼具低泡性和润滑性,是实现产品性能的关键。
2 烷基糖苷(APG) APG0810或APG1214,含量≥50%水溶液
辅助表面活性剂/分散剂:生物降解性好,刺激性低,能有效分散切割微粉,防止团聚沉降,并提升清洗性。
3 有机羧酸类防锈剂 如癸二酸、月桂二酸等多元羧酸,含量≥98% 防锈缓蚀剂:在水中提供优异的防锈性能,保护设备及金刚线不被腐蚀,同时其酸性可调节工作液pH值。
4 去离子水 电导率≤10 μS/cm 溶剂与载体:作为基础介质,要求高纯度以避免引入杂质离子,影响硅片表面质量和产品稳定性。
产品技术指标
检测项目 技术指标(浓缩液) 测试方法/标准
外观 无色至微黄色透明液体 目测
气味 轻微特征气味 嗅觉
比重(25℃) 1.02 - 1.05 GB/T 4472
pH值(原液) 5.0 - 7.0 GB/T 6368
凝固点(℃) ≤ -5 GB/T 7532
稳定性 常温密封储存12个月,无分层、无沉淀 长期留样观察
工作液(按1:200稀释后)性能:泡沫高度(即时)< 10mm;防锈性(铸铁屑法)合格;表面张力 ≤ 28 mN/m。
产品储存、使用及包装
储存方法与时问:密封储存于阴凉干燥处(建议温度5-40℃),避免冰冻和暴晒。保质期12个月。
包装要求:采用聚乙烯(PE)塑料桶或IBC吨桶包装,净重根据客户需求而定(如25kg/桶,200kg/桶,1000kg/桶)。确保包装容器清洁、密封。
使用方法:
稀释:使用高纯度去离子水(电导率≤10 μS/cm)进行稀释,推荐稀释比例为 1:200 至
1:400(体积比)。即1份浓缩液加入200至400份去离子水。具体比例需根据切割机型号、线径、硅棒材质等工艺条件进行微调。
配制:建议在配套的循环槽中先加入约一半量的去离子水,然后在搅拌下缓缓加入计量的浓缩液,最后补加剩余的去离子水至规定液位,循环搅拌30分钟以上确保混合均匀。
工艺参数:工作液温度控制在20-30℃为宜。需定期监测工作液的浓度、电导率和pH值,并根据消耗情况进行补加(通常采用“等比例补加法”,即每补充1份浓缩液,同时补充200-400份去离子水)。
更换周期:当工作液电导率持续升高(如>100 μS/cm)、pH值异常、或肉眼可见杂质过多、切割质量下降时,应全部更换新液。
主要用途及应用范围
本产品专用于金刚石线切割工艺,适用于:
半导体材料:单晶硅、多晶硅锭的切片。
脆硬材料:蓝宝石、光学玻璃、陶瓷、石英、磁性材料等。
芯片制造:晶圆的精密切割。
注意事项
本品虽不可燃、无腐蚀,但仍需避免与眼睛和皮肤长时间直接接触。操作时建议佩戴防护眼镜和手套。
若意外接触眼睛,应立即用大量清水冲洗并就医。
请勿与阴离子型产品混用,以免可能产生不相容现象。
使用前请务必阅读产品安全技术说明书(MSDS)。
废液处理应遵循当地环保法规,建议交由有资质的污水处理单位处理。
三、浓缩型硅片金刚线切割液生产技术配方
本配方采用创新的低泡表面活性剂复配体系,通过非离子表面活性剂与特种润湿剂的协同作用,实现超低泡沫特性(泡沫高度≤2mm)和优异的润湿渗透性(表面张力≤30mN/m)。配方完全不含有机硅消泡剂,避免硅污染问题,同时采用环保型缓蚀剂和杀菌剂,符合最新的RoHS和REACH环保标准。通过优化的润滑冷却体系,可有效降低硅片表面粗糙度(Ra≤0.2μm)和TTV值(≤5μm),提高切割良品率。
原料名称 化学文摘号(CAS) 规格要求 作用介绍
月桂醇聚氧乙烯醚(9) 68439-50-9 HLB值13.5±0.5,水分≤0.5% 主表面活性剂,提供低泡润湿和渗透性
异构十三醇聚氧乙烯醚(8) 9043-30-5 HLB值12.5±0.5,水分≤0.5% 辅助表面活性剂,增强分散性
烷基多糖苷(APG-1214) 68515-73-1 活性物≥50%,pH 11-12 天然表面活性剂,提高润湿性
聚乙二醇400 25322-68-3 分子量380-420,水分≤0.2% 润滑冷却剂,提高比热容
油酸二乙醇胺 93-83-4 含量≥85%,酸值≤10 润滑防锈剂,防止金属腐蚀
甲基苯并三氮唑 29385-43-1 纯度≥99%,熔点80-85℃ 铜缓蚀剂,保护金刚线
苯并三氮唑 95-14-7 纯度≥99.5%,熔点98-100℃ 辅助缓蚀剂
异噻唑啉酮 2682-20-4 活性物≥14.5%,pH 3.5-5.5 杀菌防腐剂
柠檬酸钠 68-04-2 纯度≥99%,水分≤2% pH缓冲剂,稳定体系
去离子水 7732-18-5 电导率≤10μS/cm,pH 6-7 溶剂和载体
技术指标
检测项目 技术指标 检测方法
外观 无色至微黄色透明液体 目测法
气味 轻微特征性气味 嗅觉法
密度(20℃) 1.02-1.04 g/cm³ GB/T 4472
pH值(原液) 6.0-7.0 GB/T 6368
泡沫高度(0.1%,50℃) ≤10mm GB/T 7462
表面张力(0.1%) ≤30 mN/m GB/T 18396
腐蚀性(55℃±2℃,钢片) 无腐蚀 GB/T 6144
防锈性(35℃±2℃,铸铁片) 无锈蚀 GB/T 6144
消泡性 10s内泡沫消除 企业标准
储存和使用方法
1. 储存条件
密闭保存,避免阳光直射
储存温度5-35℃
保质期:12个月
2. 使用配比
单晶硅切割:1:300-400(原液:去离子水)
多晶硅切割:1:250-350
蓝宝石切割:1:200-300
陶瓷切割:1:150-250
3. 使用参数
工作液温度:20-45℃
pH值:6.0-7.0
更换周期:2-3个月
4. 维护要求
每日检测工作液浓度和pH值
每周清理循环系统
每月彻底更换工作液
应用范围
单晶硅片金刚线切割
多晶硅片金刚线切割
蓝宝石衬底切割
陶瓷基板切割
半导体晶圆切割
光学玻璃切割
包装要求
1. 25kg/塑料桶(HDPE材质)
2. 200kg/塑料桶(HDPE材质)
3. 1000kg/IBC桶(PE材质)
4. 标签注明:产品名称、批号、生产日期、保质期、储存条件
注意事项
1. 避免与强氧化剂、强酸强碱接触
2. 操作时佩戴防护手套和护目镜
3. 如接触皮肤,用大量清水冲洗
4. 如接触眼睛,立即用清水冲洗并就医
5. 废液处理需符合当地环保法规
本配方经过工业化生产验证,在多家光伏企业实际应用,产品性能稳定可靠,完全满足金刚线切割工艺要求,具有显著的成本优势和市场竞争力。
技术服务:硅片金刚线切割液配方生产技术280元,包括生产配方、工艺流程、性能指标、使用方法等,提供技术支持。
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